Моя заявка (0)

IKB40N65EH5ATMA1,IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins

IKB40N65EH5ATMA1,IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000374138
Артикул
IKB40N65EH5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
1
Package Type
PG-TO247-3
Maximum Power Dissipation
333 W
Цена по запросу
(от 645 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высокоскоростной биполярный транзистор Infineon с изолированным затвором оснащен антипараллельным диодом rapid 1 на полный номинальный ток.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Package TypePG-TO247-3
Maximum Power Dissipation333 W
Maximum Gate Emitter Voltage±20 V, ±30 V
Maximum Collector Emitter Voltage650 V
Maximum Continuous Collector Current74 A

Техническая документация