Моя заявка (0)

IKB10N60TATMA1 Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 30 A 600 V TO-263-3

IKB10N60TATMA1 Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 30 A 600 V TO-263-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030974239
Артикул
IKB10N60TATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
RoHS
Details
Brand
Infineon Technologies
Width
9.45 mm
Height
4.57 mm
Цена по запросу
(от 514,05 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Устройство Infineon IGBT discrete с антипараллельным диодом в корпусе TO-263. Оно значительно улучшает как статические, так и динамические xарактеристики устройства, благодаря сочетанию концепции траншейной ячейки и полевой остановки.

Технические параметры

RoHSDetails
BrandInfineon Technologies
Width9.45 mm
Height4.57 mm
Length10.31 mm
SeriesXKB10N60
PackagingReel
TechnologySi
Вес, г0.14
ManufacturerInfineon
Package TypeTO-263-3
ConfigurationSingle Collector, Single Emitter, Single Gate
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-263-3
Part # AliasesIKB10N60T IKB10N60TXT SP000014833
Product CategoryIGBT Transistors
Power Dissipation110Вт
Factory Pack Quantity1000
Number of Transistors1
Pd - Power Dissipation110 W
Maximum Power Dissipation110 W
Continuous Collector Current24А
Gate-Emitter Leakage Current100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage20V
Collector Emitter Voltage Max600В
Maximum Operating Temperature+175 C
Minimum Operating Temperature-40 C
Maximum Collector Emitter Voltage600 V
Линейка ПродукцииTRENCHSTOP IGBT3
Collector- Emitter Voltage VCEO Max600 V
Continuous Collector Current Ic Max18 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector Emitter Saturation Voltage1.5В
Collector-Emitter Saturation Voltage1.8 V
Continuous Collector Current at 25 C24 A
Maximum Continuous Collector Current30 A
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Максимальная Рабочая Температура175°C

Техническая документация