IHLP6767GZER3R3M51, Power Inductors - SMD 3.3uH 20%

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026264426
- Артикул
- IHLP6767GZER3R3M51
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8504.50.80.00
- Type
- Power Choke
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 367 ₽)
Минимальный заказ: 200 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой дроссель с экранированной проволочной обмоткой 3,3 Мкм 20% 100 кГц из порошкового железа 32,2 А 0,00327 Ом DCR 6767 T/ R
Технические параметры
| HTS | 8504.50.80.00 |
| Type | Power Choke |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| Case Size | 6767 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Shielding | Shielded |
| Tolerance | 20% |
| Inductance | 3.3(uH) |
| Technology | Wirewound |
| Вес, г | 1.6 |
| Серия | IHLP6767 |
| Part Status | Active |
| Failure Rate | Not Required |
| Rad Hardened | No |
| Core Material | Powdered Iron |
| DC Resistance | 0.00327(ohm) |
| Inductance (H) | 3.3u |
| Test Frequency | 0.1(MHz) |
| Protection Style | Shielded |
| Military Standard | Not Required |
| Product Depth (mm) | 17.15 |
| Tolerance (+ or -) | 20% |
| Number of Terminals | 2 |
| Product Height (mm) | 7 |
| Product Length (mm) | 17.28 |
| Operating Temp Range | -55C to 155C |
| Типоразмер | 6767GZ |
| Product Diameter (mm) | Not Required(mm) |
| Maximum DC Current (A) | 32.2(Typ) |
| Особенности | экранированная, силовая, высокотоковая, низкопрофильная, литая(molded) |
| Self Resonant Frequency | 16.5(TYP)(MHz) |
| Maximum DC Resistance (Ohm) | 0.00327 |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Inductance Test Frequency (Hz) | 100K |
| Maximum Saturation Current (A) | 32(Typ) |
| Длина корпуса,мм | 17.9 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 155 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Minimum Self Resonant Frequency (Hz) | 16.5M(Typ) |
| Рабочая температура,С | -55…+125 |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 6.7 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 3.3 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |