IHLP5050FDER2R2M8A, Power Inductors - SMD 2.2uH 20%
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032759077
- Артикул
- IHLP5050FDER2R2M8A
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Type:
- Power Choke
- Brand:
- Vishay/Dale
- Product:
- Power Inductors
- Core Type:
- Molded
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Energy Solutions TDK представляет себе будущее, полностью основанное на чистой энергии, и предлагает продукты, которые способствуют производству и передаче возобновляемой энергии. Эти компоненты TDK содержат широкий спектр пассивныx устройств общего назначения, включая пленочные и алюминиевые электролитические конденсаторы, MLCC, термисторы NTC, варисторы, ферритовые сердечники с распределенным зазором, датчики давления, солнечные элементы и многое другое.
Технические параметры
| Type: | Power Choke |
| Brand: | Vishay/Dale |
| Product: | Power Inductors |
| Core Type: | Molded |
| Shielding: | Shielded |
| Tolerance: | 20% |
| Вес, г | 1.4 |
| Серия | IHLP5050 |
| Inductance: | 2.2 uH |
| Application: | Automotive |
| Subcategory: | Inductors, Chokes & Coils |
| Termination: | Standard |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | Power Inductors-SMD |
| Core Material: | Composite |
| Qualification: | AEC-Q200 |
| Mounting Style: | PCB Mount |
| Package / Case: | 12.9 mm x 6.4 mm x 12.9 mm |
| Test Frequency: | 100 kHz |
| Product Category: | Power Inductors-SMD |
| Termination Style: | SMD/SMT |
| Maximum DC Current: | 25.5 A |
| Saturation Current: | 21.5 A |
| Factory Pack Quantity: | 250 |
| Maximum DC Resistance: | 3.67 mOhms |
| Особенности | экранированная, силовая, высокотоковая, низкопрофильная, литая(molded) |
| Self Resonant Frequency: | 23.3 MHz |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Maximum Operating Temperature: | +155 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Длина корпуса,мм | 13.46 |
| Рабочая температура,С | -55…+125 |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 5 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 2.2 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |