IHLP4040DZER2R2M01, Power Inductors - SMD 2.2uH 20%
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025522813
- Артикул
- IHLP4040DZER2R2M01
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- ECCN
- EAR99
- Type
- Molded
- HTSUS
- 8504.50.4000
- Series
- IHLP-4040DZ-01 ->
Цена по запросу
(от 112 ₽)
Минимальный заказ: 500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Экранированный литой индуктор емкостью 2,2 мкГн, 12А, не более 9 Мом, Нестандартный
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Type | Molded |
| HTSUS | 8504.50.4000 |
| Series | IHLP-4040DZ-01 -> |
| Moulded | Yes |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Shielded | Yes |
| Shielding | Shielded |
| Tolerance | В±20% |
| Inductance | 2.2ВµH |
| Video File | IHLPВ® Power Inductor Saturation Current Performan |
| Вес, г | 1.4 |
| Серия | IHLP |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package/Case | 4040 |
| Корпус | SMD 10.3*10.3*4 |
| Core Material | Metal Composite |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Range | IHLP-4040DZ-01 Series; Inductance |
| Package / Case | Nonstandard |
| Size / Dimension | 0.425"" L x 0.400"" W (10.80mm x 10.16mm) |
| Maximum DC Current | 12A |
| DC Resistance (DCR) | 9mOhm Max |
| Current Rating (Amps) | 12A |
| Height - Seated (Max) | 0.157"" (4.00mm) |
| Inductor Construction | Shielded |
| Maximum DC Resistance | 9mΩ |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 125В°C |
| Особенности | экранированная, силовая, высокотоковая, низкопрофильная, литая(molded) |
| Supplier Device Package | 4040 |
| Current - Saturation (Isat) | 25.6A |
| Inductance Frequency - Test | 100kHz |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Maximum Operating Temperature | +125°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Длина корпуса,мм | 11.5 |
| Maximum Self Resonant Frequency | 5MHz |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Рабочая температура,С | -55…+125 |
| Активное сопротивление,Ом | 9мОм |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 10 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 12000 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 2.2 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |