IHLP2525CZER8R2M01, Power Inductors - SMD 8.2uH 20%

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025624925
- Артикул
- IHLP2525CZER8R2M01
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Type
- High Current
- Вид
- проволочный
- Тип
- дроссель
- Tolerance
- 20%
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Индуктивность проволочный дроссель IHLP2525CZER8R2M01 от производителя VISHAY обладает индуктивностью 8,2 мкГн с допуском ±20%. Рассчитан на максимальный рабочий ток в 4 А и функционирует в широком диапазоне температур от -55°C до 125°C, что делает его идеальным для работы в экстремальных условиях. Компактные размеры 6,47x6,47x3 мм и SMD-монтаж обеспечивают легкую интеграцию в электронные схемы. Выбрав IHLP2525CZER8R2M01, вы получите надежный компонент для стабилизации тока и подавления помех в различных устройствах. Характеристики Категория Индуктивность Тип дроссель Вид проволочный Индуктивность 8.2 Ед.изм. индуктивности мкГн Погрешность ±, % 20 Монтаж SMD Рабочий ток макс., А 4 Рабочая температура мин.,°C -55 Рабочая температура макс., °C 125 Размер, мм 6,47x6,47x3
Технические параметры
| Type | High Current |
| Вид | проволочный |
| Тип | дроссель |
| Tolerance | 20% |
| Вес, г | 2 |
| Серия | IHLP |
| Lead Finish | Tin |
| Package/Case | 2525 |
| Корпус | SMD 6.86*6.47*3 |
| Монтаж | SMD |
| Product Length | 7.24 mm |
| Test Frequency | 100 kHz |
| Protection Style | Shielded |
| Max Processing Temp | 260 |
| Типоразмер | 6.9x6.5 |
| Operating Temperature | -55 to 125 °C |
| Особенности | на высокие токи экранированная |
| Индуктивность | 8.2 |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Погрешность ±, % | 20 |
| Длина корпуса,мм | 7.2 |
| Рабочий ток макс., А | 4 |
| Ед.изм. индуктивности | мкГн |
| Рабочая температура,С | -55…+125 |
| Активное сопротивление,Ом | 68мОм |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 25 |
| Рабочая температура мин.,°C | -55 |
| Рабочая температура макс., °C | 125 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 4000 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 8.2 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |