IHLP2525CZER2R2M01, Power Inductors - SMD 2.2uH 20%
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025477891
- Артикул
- IHLP2525CZER2R2M01
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Type
- High Current
- Вид
- проволочный
- Тип
- дроссель
- Tolerance
- 20%
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Индуктивность дроссель IHLP2525CZER2R2M01 производства компании VISHAY – это высококачественный проволочный компонент с индуктивностью 2,2 мкГн и погрешностью ±20%. Размером всего 6,47x6,47x3 мм, этот дроссель способен выдерживать рабочий ток до 8 А и работать в широком температурном диапазоне от -55°C до 125°C. Удобный монтаж типа SMD позволяет эффективно использовать дроссель IHLP2525CZER2R2M01 в различных электронных устройствах, где требуется надежное подавление помех и стабилизация тока. Характеристики Категория Индуктивность Тип дроссель Вид проволочный Индуктивность 2.2 Ед.изм. индуктивности мкГн Погрешность ±, % 20 Монтаж SMD Рабочий ток макс., А 8 Рабочая температура мин.,°C -55 Рабочая температура макс., °C 125 Размер, мм 6,47x6,47x3
Технические параметры
| Type | High Current |
| Вид | проволочный |
| Тип | дроссель |
| Tolerance | 20% |
| Вес, г | 1.4 |
| Серия | IHLP |
| Lead Finish | Tin |
| Package/Case | 2525 |
| Корпус | SMD 6.86*6.47*3 |
| Монтаж | SMD |
| Product Length | 7.24 mm |
| Test Frequency | 100 kHz |
| Protection Style | Shielded |
| Max Processing Temp | 250 |
| Типоразмер | 6.9x6.5 |
| Operating Temperature | -55 to 125 °C |
| Особенности | экранированная, силовая, высокотоковая, низкопрофильная, литая(molded) |
| Индуктивность | 2.2 |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Погрешность ±, % | 20 |
| Длина корпуса,мм | 7.2 |
| Рабочий ток макс., А | 8 |
| Ед.изм. индуктивности | мкГн |
| Рабочая температура,С | -55…+125 |
| Рабочая температура, С | -55…125 |
| Активное сопротивление,Ом | 20мОм |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 25 |
| Рабочая температура мин.,°C | -55 |
| Рабочая температура макс., °C | 125 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 2.2 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |