Моя заявка (0)

IGW30N60TPXKSA1, Type N-Channel IGBT, 53 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

IGW30N60TPXKSA1, Type N-Channel IGBT, 53 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8032903789
Артикул
IGW30N60TPXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
0.14
Серия
Trenchstop Performance
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 461,27 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 600 и 650 В, оснащенныx теxнологией TrenchStop™.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.14
СерияTrenchstop Performance
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Energy Rating1.13mJ
Mounting TypeThrough Hole
Switching Speed30kHz
Gate Capacitance1050pF
УпаковкаTube
ТехнологияSi
Number of Transistors1
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаIGBT Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияIGBTs
Maximum Power Dissipation200 W
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-247-3
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-40 °C
Maximum Collector Emitter Voltage600 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Maximum Continuous Collector Current53 A
Pd - рассеивание мощности200 W
Другие названия товара №IGW30N60TP SP001379674
Коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Размер фабричной упаковки240
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Непрерывный коллекторный ток при 25 C53 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V

Техническая документация