IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030974633
- Артикул
- IGP50N60TXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.14
- Серия
- TRENCHSTOP IGBT
- Package Type
- PG-TO220-3
- Упаковка
- Tube
Цена по запросу
(от 1 210 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Благодаря положительному температурному коэффициенту в Vcesat IGBT от Infineon с низкими потерями обеспечивает простое параллельное переключение.
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Серия | TRENCHSTOP IGBT |
| Package Type | PG-TO220-3 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Number of Transistors | 3 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Maximum Power Dissipation | 333 W |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Maximum Continuous Collector Current | 90 A |
| Pd - рассеивание мощности | 333 W |
| Другие названия товара № | IGP50N60T IGP5N6TXK SP000683046 |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 90 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |