Моя заявка (0)
IGBT модули GD150HFU120C2S

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062813488
Бренд
STARPOWER
Вес, г
330
Корпус
SOT-227
Power Dissipation
1.147кВт
Выводы БТИЗ
Stud
Цена по запросу
(от 14 071,89 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Модуль IGBT 1200В 150А

Технические параметры

Вес, г330
КорпусSOT-227
Power Dissipation1.147кВт
Выводы БТИЗStud
Continuous Collector Current280А
Collector Emitter Voltage Max1.2кВ
Технология БТИЗNPT Ultra Fast IGBT
DC Ток Коллектора280А
Конфигурация БТИЗHalf Bridge
Монтаж транзистораPanel
Collector Emitter Saturation Voltage3.1В
Рассеиваемая Мощность1.147кВт
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Максимальный ток КЭ при 25°C, A150
Максимальное напряжение КЭ ,В1200
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Максимальная Рабочая Температура125°C
Максимальная Температура Перехода Tj125°C
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)3.1В

Техническая документация