IGBT модули FP75R12KE3BOSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001755320
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- IGBT3-E3
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
Цена по запросу
(от 33 985,91 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | IGBT3-E3 |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Tradename: | EconoPIM |
| Вес, г | 180 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | AG-ECONO3-3 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | ECONO2-1 |
| Configuration | 3 Phase Bridge |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | 3-Phase Inverter |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Package / Case: | EconoPIM3 |
| Part # Aliases: | SP000100415 FP75R12KE3BOSA1 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Структура | 3-ф инвертор+тормозной транзистор+ выпрямитель |
| Pd - Power Dissipation: | 355 W |
| Transistor Configuration | 3 Phase |
| Maximum Power Dissipation | 355 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +125 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Maximum Continuous Collector Current | 105 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 105 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+125 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 105 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 355 |