IGBT модули FF200R12KT4HOSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003303820
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- IGBT Modules
- Тип
- IGBT модуль
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 306.5
Цена по запросу
(от 8 850 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Технические параметры
| Type | IGBT Modules |
| Тип | IGBT модуль |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 306.5 |
| Channel Type | N |
| Package Type | 62MM Module |
| Корпус | 62 mm |
| Configuration | Series |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-1100 Вт |
| Упаковка | TRAY, 10 шт. |
| Структура | полумост |
| Напряжение | 1200В |
| Operating Temperature | -40℃~+150℃@(Tvjop) |
| Collector Current (Ic) | 320A |
| Power Dissipation (Pd) | 1.1kW |
| Transistor Configuration | Series |
| Maximum Power Dissipation | 1100 W |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 160ns |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | 1.4nF@25V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 10mJ |
| Diode Forward Voltage (Vf@If) | 1.65V@200A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | - |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | 450ns |
| Pulsed Collector Current (Icm) | 400A |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 14mJ |
| Максимальный ток | 320A |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | - |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Collector Cut-Off Current (Ices@Vce) | 5mA@1.2kV |
| Maximum Continuous Collector Current | 320 A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 5.8V@7.6mA |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 320 |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge) | 1.75V@200A, 15V |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 1100 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |