IGBT модули FF100R12RT4HOSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8605316460
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 160
- Channel Type
- N
- Package Type
- AG-34MM-1
- Корпус
- AG-34MM
Цена по запросу
(от 8 349 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
Технические параметры
| Вес, г | 160 |
| Channel Type | N |
| Package Type | AG-34MM-1 |
| Корпус | AG-34MM |
| Configuration | Series |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Структура | полумост |
| Transistor Polarity | N Channel; DC Collector Current |
| Примечание | без крепежа |
| Transistor Configuration | Series |
| Maximum Power Dissipation | 555 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 100 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 555 |