IGB50N65H5ATMA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-263
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019842718
- Артикул
- IGB50N65H5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Pin Count
- 3
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 0.14
Цена по запросу
(от 818,11 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Теxнология Infineon TRENCHSTOP IGBT5 переопределяет лучшие в своем классе IGBT-транзисторы, что приводит к снижению температуры соединения и корпуса, что повышает надежность устройства, обеспечивая непревзойденную производительность с точки зрения эффективности при жесткой коммутации. Он имеет напряжение коллектор-эмиттер 650 В и ток коллектора 80 А.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-263 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IGB50N65H5 SP001509614 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Number of Transistors | 1 |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 270 W |
| Maximum Power Dissipation | 270 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |