IGB30N60H3ATMA1,IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000182009
- Артикул
- IGB30N60H3ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.1
- Package Type
- PG-TO263-3
- Mounting Type
- Through Hole
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IGB30N60H3ATMA1 от производителя INFINEON является высокоэффективным компонентом для современной электроники. С монтажом типа SMD, данный IGBT транзистор обеспечивает ток коллектора до 30 А, поддерживая напряжение коллектор-эмиттер на уровне 600 В, что гарантирует его надежность и долговечность в условиях высоких нагрузок. С мощностью в 187 Вт и корпусом PG-TO263-3, он отлично подходит для широкого спектра применений, от энергетики до автомобильной промышленности. Уникальный код товара IGB30N60H3ATMA1 используется для удобства поиска и идентификации продукта в каталоге. Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT Монтаж SMD Ток коллектора, А 30 Напряжение коллектор-эмиттер, В 600 Мощность, Вт 187 Корпус PG-TO263-3
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.1 |
| Package Type | PG-TO263-3 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Maximum Power Dissipation | 187 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A |