Моя заявка (0)

IGB20N65S5ATMA1, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-263, Through Hole

IGB20N65S5ATMA1, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-263, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030998823
Артикул
IGB20N65S5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.14
Серия
Trenchstop IGBT5
Упаковка
Reel, Cut Tape
Power Dissipation
125Вт
Цена по запросу
(от 462,41 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon IGBT с антипараллельным диодом в корпусе TO263 подxодит для использования с однократным включением или выключением затворного резистора.

Технические параметры

Вес, г0.14
СерияTrenchstop IGBT5
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation125Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаIGBT Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияIGBTs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-263-3
Continuous Collector Current40А
Collector Emitter Voltage Max650В
Линейка ПродукцииTRENCHSTOP 5
Категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector Emitter Saturation Voltage1.35В
Pd - рассеивание мощности125 W
Другие названия товара №IGB20N65S5 SP001502564
Коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.40 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C40 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.35 V

Техническая документация