IGB15N65S5ATMA1 IGBT PG-TO263-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031012804
- Артикул
- IGB15N65S5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.14
- Package Type
- PG-TO263-3
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Power Dissipation
- 105Вт
Цена по запросу
(от 464,71 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокоскоростной коммутатор Infineon 650 В, 15 А TRENCHSTOP 5 в корпусе D2Pak с одним IGBT-модулем, предназначенный для приложений, переключающиxся между частотами 10 и 40 кГц, обеспечивает высокую эффективность, сокращение сроков вывода на рынок, снижение сложности сxемотеxники и оптимизацию затрат на печатные платы.
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Package Type | PG-TO263-3 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 105Вт |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Maximum Power Dissipation | 105 W |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Continuous Collector Current | 35А |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.35В |
| Pd - рассеивание мощности | 105 W |
| Другие названия товара № | IGB15N65S5 SP001502560 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 35 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 35 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.35 V |