IFS100B12N3E4_B31, IGBT Modules MIPAQ BASE 1200V 100A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005074045
- Артикул
- IFS100B12N3E4_B31
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 300
Цена по запросу
(от 20 270 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Интеллектуальные силовые модули MIPAQ™ Infineon Интеллектуальные силовые модули MIPAQ™ интегрируют электронику в силовые модули и представляют собой функциональную категорию продуктов в линейке IGBT-модулей. Эти силовые модули сочетают в себе IGBT-модули, встроенные датчики и управляющую электронику. Силовые модули MIPAQ представляют собой мощные и компактные инверторы малой и средней мощности. Силовые модули экономичны и способствуют энергосбережению.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 300 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | Module |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | 6-Pack |
| Part # Aliases: | SP000643756 IFS100B12N3E4B31BOSA1 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 515 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.75 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 100 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |