Моя заявка (0)

IDW30G65C5XKSA1, SiC Schottky Diodes SIC DIODES

IDW30G65C5XKSA1, SiC Schottky Diodes SIC DIODES

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005505188
Артикул
IDW30G65C5XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
IDW30G65C5
Mounting
Through Hole
Rev Curr
220(uA)
Packaging
Rail/Tube
Цена по запросу
(от 1 287,50 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия Infineon IDW - это CoolSiC 5-го поколения, представляющая собой передовую теxнологию Infineon для барьерныx диодов Шоттки SiC.

Технические параметры

SeriesIDW30G65C5
MountingThrough Hole
Rev Curr220(uA)
PackagingRail/Tube
Pin Count3+Tab
Вес, г6
СерияthinQ
Package TypePG-TO247-3
Rad HardenedNo
КорпусTO-247
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Rectifier TypeSchottky Diode
Forward Current30000(mA)
Forward Voltage1.7(V)
Peak Rep Rev Volt650(V)
Product Depth (mm)5(mm)
Diode ConfigurationSingle
Product Height (mm)21(mm)
Operating Temp Range-55C to 175C
Peak Forward Voltage1.7(V)
Peak Reverse Current220(uA)
Average Forward Current30А
Maximum Forward Current30000(mA)
Тип устройстваДиод Шоттки
Peak Reverse Repetitive Voltage650V
Repetitive Peak Reverse Voltage650В
Тип Монтажа ДиодаСквозное Отверстие
Peak Non-Repetitive Surge Current165(A)
Линейка ПродукцииthinQ
Maximum Continuous Forward Current30A
Количество Выводов3 Вывода
Конфигурация диодаОдиночный
Operating Temperature ClassificationMilitary
Стиль Корпуса ДиодаTO-247
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Обратный ток утечки, мкА220
Материал полупроводникаКарбид кремния
Полный Емкостной Заряд Qc42нКл
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное прямое напряжение ,В1.7
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)30

Техническая документация