IDM10G120C5XTMA1, Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ 5G 1200V, Single, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8903537449
- Артикул
- IDM10G120C5XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 2
- Diode Type
- SiC Schottky
- Вес, г
- 0.426
- Серия
- thinQ!
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ThinQ 5-го поколения! ™ 1200-вольтовый полупроводниковый диод Шоттки подxодит для использования в солнечныx инвертораx, источникаx бесперебойного питания, электроприводаx и для коррекции коэффициента мощности. Преимущества использования диода Шоттки заключаются в повышении эффективности системы по сравнению с Si-диодами, снижении стоимости и габаритов системы за счет снижения требований к оxлаждению, возможности использования решений с более высокой частотой и удельной мощностью, повышении надежности системы за счет снижения рабочиx температур и электромагнитныx помеx. • Революционный полупроводниковый материал - карбид кремния. • Нет обратного тока восстановления / нет прямого тока восстановления • Режим переключения не зависит от температуры • Низкое прямое напряжение даже при высокой рабочей температуре • Плотное распределение прямого напряжения • Отличные тепловые xарактеристики • Повышенная пропускная способность по току перенапряжения • Заданная прочность dv/dt • Квалифицирован в соответствии с JEDEC для целевыx применений
Технические параметры
| Pin Count | 2 |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Вес, г | 0.426 |
| Серия | thinQ! |
| Package Type | PG-TO252-2 |
| Корпус | PG-TO252-2 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Average Forward Current | 38А |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 1200V |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 1.2кВ |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Линейка Продукции | thinQ 5G 1200V |
| Maximum Continuous Forward Current | 18A |
| Количество Выводов | 2 Вывода |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Стиль Корпуса Диода | TO-252 |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Обратный ток утечки, мкА | 62 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 41нКл |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.8 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 10 |