IDK12G65C5XTMA2, SiC Schottky Diodes SIC DIODES
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005239853
- Артикул
- IDK12G65C5XTMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 2.2
- Серия
- thinQ!™
- Корпус
- TO-263-2
- Продукт
- Schottky Silicon Carbide Diodes
Цена по запросу
(от 497,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диоды и выпрямители Шоттки SIC DIODES
Технические параметры
| Вес, г | 2.2 |
| Серия | thinQ!™ |
| Корпус | TO-263-2 |
| Продукт | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Емкость, пФ | 360 |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Average Forward Current | 12А |
| Тип продукта | Schottky Diodes Rectifiers |
| If - прямой ток | 12 A |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Diodes Rectifiers |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-263-2 |
| Ir - обратный ток | 0.65 uA |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Линейка Продукции | thinQ Gen V |
| Категория продукта | Диоды и выпрямители Шоттки |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Стиль Корпуса Диода | TO-263 |
| Vf - прямое напряжение | 1.5 V |
| Ifsm - ударный прямой ток | 97 A |
| Vr - обратное напряжение | 650 V |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | -55…+175 |
| Pd - рассеивание мощности | 104 W |
| Обратный ток утечки, мкА | 0.65 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 18нКл |
| Другие названия товара № | IDK12G65C5 SP001633194 |
| Коммерческое обозначение | CoolSiC |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.5 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Vrrm - повторяющееся обратное напряжение | 650 V |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 12 |