Моя заявка (0)

IDK02G120C5XTMA1, SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE

IDK02G120C5XTMA1, SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004635445
Артикул
IDK02G120C5XTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
V(F)
1.7 V
Brand:
Infineon Technologies
I(FSM)
31 A
V(RRM)
1200 V
Цена по запросу
(от 249,10 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диоды Шоттки CoolSiC™ Infineon Диоды Шоттки CoolSiC™ обеспечивают относительно высокое сопротивление в рабочем состоянии и ток утечки. Диоды Шоттки, изготовленные из материала SiC, могут достигать значительно более высокого напряжения пробоя. Линейка продуктов Infineon от SiC Schottky включает диоды Шоттки напряжением 600 В и 650-1200 В. Сочетание быстродействующего переключателя на основе кремния с диодом Шоттки CoolSiC™ часто называют "гибридным" решением. За последние годы Infineon произвела несколько миллионов гибридныx модулей и установила иx в различные продукты клиентов, такие как солнечные батареи и источники бесперебойного питания (ИБП).

Технические параметры

V(F)1.7 V
Brand:Infineon Technologies
I(FSM)31 A
V(RRM)1200 V
PackagePG-TO263-2
MountingSMD
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
T(j) max175 °C
PackagingREEL
AutomotiveNO
Packaging:Reel, Cut Tape
Technology5thinQ!SiC
Вес, г1
СерияCoolSiC Gen V
RoHS StatusRoHS-conform
Technology:SiC
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусTO-263-2
ConfigurationSINGLE
I(F)per diode2 A
Manufacturer:Infineon
Product Type:Schottky Diodes & Rectifiers
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IDK02G120C5 SP002739618
Product Category:Schottky Diodes & Rectifiers
If - Forward Current:2 A
Ir - Reverse Current:50 uA
Vf - Forward Voltage:1.65 V
Factory Pack Quantity:1000
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:18 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:1.2 kV
Конфигурация диодаОдиночный
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.7
Максимальное обратное напряжение (В)1200
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)2

Техническая документация