650 V 41 A Schottky Barrier Diode Schottky TO-220 IDH20G65C6XKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014773011
- Артикул
- IDH20G65C6XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.10.0080
- Speed
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Series
- XDH20G65
Цена по запросу
(от 1 594,18 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диоды и выпрямители Шоттки Infineon SIC имеют повторяющееся обратное напряжение (Vrrm), равное 650 В. Рабочая температура составляет от -55°C до 175°C.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Series | XDH20G65 |
| Package | Tube |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Вес, г | 1 |
| Серия | CoolSiC 6G |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | TO-220-2 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Корпус | TO-220-2 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Base Product Number | IDH20G65 -> |
| Capacitance @ Vr, F | 970pF @ 1V, 1MHz |
| Diode Configuration | Single |
| Емкость, пФ | 26.8 |
| Average Forward Current | 41А |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 67ВµA @ 420V |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Current - Average Rectified (Io) | 41A (DC) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Operating Temperature - Junction | -55В°C ~ 175В°C |
| Тип Монтажа Диода | Сквозное Отверстие |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 20A |
| Линейка Продукции | CoolSiC 6G 650V |
| Maximum Continuous Forward Current | 41A |
| Количество Выводов | 2 Вывода |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Стиль Корпуса Диода | TO-220 |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | -55…+175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 67 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 26.8нКл |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.35 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 41 |