IDH12G65C5XKSA2, (Шоттки SiC 650В 12А), Диод Шоттки SiC 650В 12А (Tc 140°C)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004049030
- Артикул
- IDH12G65C5XKSA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- V(F)
- 1.5 V
- I(FSM)
- 97 A
- V(RRM)
- 650 V
- Package
- TO220-2
Цена по запросу
(от 446,43 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диод Шоттки SiC 650В 12А (Tc<140°C)
Технические параметры
| V(F) | 1.5 V |
| I(FSM) | 97 A |
| V(RRM) | 650 V |
| Package | TO220-2 |
| Mounting | Through Hole |
| Rev Curr | 190(uA) |
| T(j) max | 175 °C |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 2 |
| Automotive | NO |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Technology | 5thinQ!SiC |
| Вес, г | 3.5 |
| Серия | thinQ!™ |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Package Type | PG-TO220 |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | TO-220-2 |
| Configuration | Single |
| I(F)per diode | 12 A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Forward Current | 12000(mA) |
| Forward Voltage | 1.7(V) |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Peak Rep Rev Volt | 650(V) |
| Diode Configuration | Single |
| Product Length (mm) | 10(mm) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Peak Forward Voltage | 1.7(V) |
| Peak Reverse Current | 190(uA) |
| Maximum Forward Current | 12000(mA) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Peak Non-Repetitive Surge Current | 97(A) |
| Maximum Continuous Forward Current | 12A |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 190 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.7 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 12 |