650V 8A, SiC Schottky Diode, 2-Pin PG-TO220 IDH08G65C6XKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014555830
- Артикул
- IDH08G65C6XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 2
- Diode Type
- SiC Schottky
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- CoolSiC generation 6
Цена по запросу
(от 669,37 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon CoolSiC generation 6 предлагает новую передовую теxнологию для барьерного диода Шоттки с номинальным током 8 А.
Технические параметры
| Pin Count | 2 |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | CoolSiC generation 6 |
| Package Type | PG-TO220 |
| Корпус | PG-TO220-2 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Diode Configuration | Single |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Maximum Continuous Forward Current | 8A |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Обратный ток утечки, мкА | 27 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.35 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 8 |