1200V 5A, Diode, PG-TO220-2-1 IDH05G120C5XKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030974627
- Артикул
- IDH05G120C5XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- V(F)
- 2.6 V
- Speed
- No Recovery Time > 500mA(Io)
- Brand:
- Infineon Technologies
- I(FSM)
- 59 A
Цена по запросу
(от 866,62 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диод Шоттки Infineon CoolSiC представляет собой передовую теxнологию для барьерныx диодов Шоттки из SiC.
Технические параметры
| V(F) | 2.6 V |
| Speed | No Recovery Time > 500mA(Io) |
| Brand: | Infineon Technologies |
| I(FSM) | 59 A |
| Series | IDH05G120C5 |
| V(RRM) | 1200 V |
| Package | TO220-2 |
| Military | No |
| Mounting | THT |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| T(j) max | 175 °C |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 2 |
| Automotive | No |
| Packaging: | Tube |
| Technology | SiC(Silicon Carbide)Schottky |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | thinQ! |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | SiC |
| Package Type | PG-TO220-2-1 |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-220-2 |
| Configuration | SINGLE |
| I(F)per diode | 5 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-2 |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IDH05G120C5 SP000974868 |
| Supplier Package | TO-220 |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Capacitance @ Vr, F | 301pF @ 1V, 1MHz |
| Diode Configuration | Single |
| If - Forward Current: | 5 A |
| Ir - Reverse Current: | 2.5 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.5 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Pd - Power Dissipation: | 109 W |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-1 |
| Peak Forward Voltage - (V) | 1.8@5A |
| Peak Reverse Current - (uA) | 33 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 59 A |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 33 µA @ 1200 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 1200V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 109000 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 5 A |
| Maximum Continuous Forward Current | 5A |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | 1200 |
| Peak Non-Repetitive Surge Current - (A) | 59 |
| Maximum Continuous Forward Current - (A) | 19.1 |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Обратный ток утечки, мкА | 33 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.8 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 5 |