IDH04G65C6XKSA1, Диод выпрямительный PG-TO220-2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048835659
- Артикул
- IDH04G65C6XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Speed
- No Recovery Time > 500mA(Io)
- Pin Count
- 2
- Diode Type
- SiC Schottky
- Technology
- SiC(Silicon Carbide)Schottky
Цена по запросу
(от 310 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon CoolSiC generation 6 предлагает новую передовую теxнологию для барьерного диода Шоттки с номинальным током 4 А.
Технические параметры
| Speed | No Recovery Time > 500mA(Io) |
| Pin Count | 2 |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Technology | SiC(Silicon Carbide)Schottky |
| Вес, г | 2.751 |
| Серия | CoolSiC 6G 650V |
| Package Type | PG-TO220 |
| Корпус | PG-TO220-2 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Capacitance @ Vr, F | 205pF @ 1V, 1MHz |
| Diode Configuration | Single |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 14 µA @ 420 V |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35 V @ 4 A |
| Maximum Continuous Forward Current | 4A |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Обратный ток утечки, мкА | 14 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.35 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 4 |