IDH02G120C5XKSA1,Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ!™, Single, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8606338581
- Артикул
- IDH02G120C5XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TO220-2
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 2+Tab
- Diode Type
- SiC Schottky
Цена по запросу
(от 566 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon ThinQ! ™ 5-го поколения предлагает новую теxнологию изготовления барьерныx диодов Шоттки на тонкиx пластинаx из SiC, улучшающую тепловые xарактеристики.
Технические параметры
| Case | PG-TO220-2 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 2+Tab |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Technology | CoolSiC™ 5G, SiC |
| Load current | 2A |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | TO-220 |
| Вес, кг | 1.36 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Type of diode | Schottky rectifying |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Kind of package | tube |
| Leakage current | 1.2µA |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Power dissipation | 75W |
| Diode Configuration | Single |
| Max. forward voltage | 1.4V |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Semiconductor structure | single diode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Max. forward impulse current | 37A |
| Maximum Forward Voltage Drop | 2.3V |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 1200V |
| Maximum Continuous Forward Current | 11.8A |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 37A |