Моя заявка (0)

1200V 11.8A, SiC Schottky Diode, 2 + Tab-Pin TO-220 IDH02G120C5XKSA1

1200V 11.8A, SiC Schottky Diode, 2 + Tab-Pin TO-220 IDH02G120C5XKSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009710686
Артикул
IDH02G120C5XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Case
PG-TO220-2
Mounting
THT
Pin Count
2+Tab
Diode Type
SiC Schottky
Цена по запросу
(от 370 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon ThinQ! ™ 5-го поколения предлагает новую теxнологию изготовления барьерныx диодов Шоттки на тонкиx пластинаx из SiC, улучшающую тепловые xарактеристики.

Технические параметры

CasePG-TO220-2
MountingTHT
Pin Count2+Tab
Diode TypeSiC Schottky
TechnologyCoolSiC™ 5G, SiC
Вес, г0.1
СерияthinQ!™
Load current2A
ManufacturerINFINEON TECHNOLOGIES
Package TypeTO-220
КорпусPG-TO220-2
Mounting TypeThrough Hole
Type of diodeSchottky rectifying
Rectifier TypeSchottky Diode
Kind of packagetube
Leakage current1.2µA
Diode TechnologySiC Schottky
Power dissipation75W
Diode ConfigurationSingle
Max. forward voltage1.4V
Max. off-state voltage1.2kV
Semiconductor structuresingle diode
Number of Elements per Chip1
Тип устройстваДиод Шоттки
Max. forward impulse current37A
Maximum Forward Voltage Drop2.3V
Peak Reverse Repetitive Voltage1200V
Maximum Continuous Forward Current11.8A
Конфигурация диодаОдиночный
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current37A
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Обратный ток утечки, мкА1.2
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.4
Максимальное обратное напряжение (В)1200
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)2

Техническая документация