Моя заявка (0)

650V 12A, SiC Schottky Diode, 10-Pin PG-HDSOP IDDD12G65C6XTMA1

650V 12A, SiC Schottky Diode, 10-Pin PG-HDSOP IDDD12G65C6XTMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014555823
Артикул
IDDD12G65C6XTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Pin Count
10
Diode Type
SiC Schottky
Цена по запросу
(от 1 260 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диоды Шоттки серии Infineon IDD представляют собой double DPAK - первое устройство для поверxностного монтажа с верxним оxлаждением, предназначенное для мощныx SMPS-приложений, такиx как питание ПК, солнечные батареи, серверы и телекоммуникации.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Pin Count10
Diode TypeSiC Schottky
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г1
СерияCoolSiC 6G
Technology:SiC
Package TypePG-HDSOP
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусPG-HDSOP
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:HDSOP-10
Product Type:Schottky Diodes & Rectifiers
Configuration:Single
Rectifier TypeSchottky Diode
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IDDD12G65C6 SP001679792
Diode TechnologySiC Schottky
Product Category:Schottky Diodes & Rectifiers
Diode ConfigurationSingle
Емкость, пФ17.1
If - Forward Current:34 A
Ir - Reverse Current:1.2 uA
Vf - Forward Voltage:1.25 V
Average Forward Current34А
Pd - Power Dissipation:120 W
Number of Elements per Chip1
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:64 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Peak Reverse Repetitive Voltage650V
Repetitive Peak Reverse Voltage650В
Тип Монтажа ДиодаSMD(Поверхностный Монтаж)
Линейка ПродукцииCoolSiC 6G 650V
Maximum Continuous Forward Current12A
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:650 V
Количество Выводов10 Выводов
Конфигурация диодаОдиночный
Стиль Корпуса ДиодаHDSOP
Кол-во диодов в корпусе1
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1700
Материал полупроводникаКарбид кремния
Полный Емкостной Заряд Qc17.1нКл
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)12

Техническая документация