650V 8A, SiC Schottky Diode, 10-Pin PG-HDSOP IDDD08G65C6XTMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014555820
- Артикул
- IDDD08G65C6XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 10
- Diode Type
- SiC Schottky
- Вес, г
- 1
- Серия
- CoolSiC 6G 650V Series
Цена по запросу
(от 880 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диоды Шоттки серии Infineon IDD представляют собой double DPAK - первое устройство для поверxностного монтажа с верxним оxлаждением, предназначенное для мощныx SMPS-приложений, такиx как питание ПК, солнечные батареи, серверы и телекоммуникации.
Технические параметры
| Pin Count | 10 |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Вес, г | 1 |
| Серия | CoolSiC 6G 650V Series |
| Package Type | PG-HDSOP |
| Корпус | HDSOP-10 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Продукт | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Diode Configuration | Single |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Average Forward Current | 24А |
| Тип продукта | Schottky Diodes Rectifiers |
| If - прямой ток | 8 A |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Diodes Rectifiers |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | HDSOP-10 |
| Ir - обратный ток | 0.8 uA |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Линейка Продукции | CoolSiC 6G 650V |
| Maximum Continuous Forward Current | 8A |
| Категория продукта | Диоды и выпрямители Шоттки |
| Количество Выводов | 10 Выводов |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Стиль Корпуса Диода | HDSOP |
| Vf - прямое напряжение | 1.25 V |
| Ifsm - ударный прямой ток | 47 A |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Pd - рассеивание мощности | 90 W |
| Обратный ток утечки, мкА | 0.8 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 12.2нКл |
| Другие названия товара № | IDDD08G65C6 SP001679788 |
| Размер фабричной упаковки | 1700 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.25 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Vrrm - повторяющееся обратное напряжение | 650 V |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 8 |