Моя заявка (0)

IDDD08G65C6XTMA1,Silicon Carbide Schottky Diode, CoolSiC 6G 650V, Single, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP

IDDD08G65C6XTMA1,Silicon Carbide Schottky Diode, CoolSiC 6G 650V, Single, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000395070
Артикул
IDDD08G65C6XTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
10
Diode Type
SiC Schottky
Вес, г
0.5
Серия
CoolSiC 6G 650V
Цена по запросу
(от 642 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

CoolSiC™ поколения G6 - это передовая теxнология Infineon для барьерныx диодов Шоттки SiC. G6 - это усовершенствованная теxнология Infineon G5, в которой используется новая металлическая система Шоттки. Диод Шоттки CoolSiC™ G6 был разработан в дополнение к нашим семействам CoolMOS™ 7 напряжением 600 В и 650 В, отвечающим самым строгим требованиям применения в этом диапазоне напряжений. Это обеспечивает такие ключевые преимущества, как экономия стоимости и габаритов системы за счет снижения требований к оxлаждению, а также позволяет повысить частоту и удельную мощность.

Технические параметры

Pin Count10
Diode TypeSiC Schottky
Вес, г0.5
СерияCoolSiC 6G 650V
Package TypePG-HDSOP
КорпусHDSOP
Mounting TypeSurface Mount
Rectifier TypeSchottky Diode
ПродуктSchottky Silicon Carbide Diodes
Diode TechnologySiC Schottky
УпаковкаReel, Cut Tape
Diode ConfigurationSingle
ТехнологияSiC
Вид монтажаSMD/SMT
Average Forward Current24А
Тип продуктаSchottky Diodes Rectifiers
If - прямой ток8 A
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияDiodes Rectifiers
Number of Elements per Chip1
Тип устройстваДиод Шоттки
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокHDSOP-10
Ir - обратный ток0.8 uA
Peak Reverse Repetitive Voltage650V
Repetitive Peak Reverse Voltage650В
Тип Монтажа ДиодаSMD(Поверхностный Монтаж)
Линейка ПродукцииCoolSiC 6G 650V
Maximum Continuous Forward Current8A
Категория продуктаДиоды и выпрямители Шоттки
Количество Выводов10 Выводов
Конфигурация диодаОдиночный
Стиль Корпуса ДиодаHDSOP
Vf - прямое напряжение1.25 V
Ifsm - ударный прямой ток47 A
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Pd - рассеивание мощности90 W
Материал полупроводникаКарбид кремния
Полный Емкостной Заряд Qc12.2нКл
Другие названия товара №IDDD08G65C6 SP001679788
Размер фабричной упаковки1700
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное обратное напряжение (В)650
Vrrm - повторяющееся обратное напряжение650 V
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)24

Техническая документация