Моя заявка (0)

600V 6A, SiC Schottky Diode, 3-Pin PG-TO252 IDD06SG60CXTMA2

600V 6A, SiC Schottky Diode, 3-Pin PG-TO252 IDD06SG60CXTMA2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014555816
Артикул
IDD06SG60CXTMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Diode Type
SiC Schottky
Вес, г
1
Серия
thinQ Gen III
Цена по запросу
(от 980 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon CoolSiC поколения 3 обеспечивает самую низкую емкость устройства при любом заданном номинальном токе, что еще больше повышает общую эффективность системы, особенно при более высокиx частотаx переключения и в условияx низкой нагрузки для барьерного диода Шоттки с номинальным током 6 А.

Технические параметры

Pin Count3
Diode TypeSiC Schottky
Вес, г1
СерияthinQ Gen III
Package TypePG-TO252
КорпусTO-252
Mounting TypeThrough Hole
Rectifier TypeSchottky Diode
Diode TechnologySiC Schottky
Diode ConfigurationSingle
Reverse Voltage (Vr)600V
Rectified Current (Io)6A
Average Forward Current6А
Forward Voltage (Vf@If)2.3V@6A
Number of Elements per Chip1
Тип устройстваДиод Шоттки
Reverse Leakage Current (Ir)50uA@600V
Peak Reverse Repetitive Voltage600V
Repetitive Peak Reverse Voltage600В
Тип Монтажа ДиодаSMD(Поверхностный Монтаж)
Линейка ПродукцииCoolSic 3G thinQ
Maximum Continuous Forward Current6A
Количество Выводов3 Вывода
Конфигурация диодаОдиночный
Стиль Корпуса ДиодаTO-252
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Обратный ток утечки, мкА50
Материал полупроводникаКарбид кремния
Полный Емкостной Заряд Qc8нКл
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное прямое напряжение ,В2.3
Максимальное обратное напряжение (В)600
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)6

Техническая документация