IDD06SG60CXTMA2, SiC Schottky Diodes SIC DIODES
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005239811
- Артикул
- IDD06SG60CXTMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Diode Type
- SiC Schottky
- Вес, г
- 10
- Серия
- thinQ Gen III
Цена по запросу
(от 367,86 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon CoolSiC поколения 3 обеспечивает самую низкую емкость устройства при любом заданном номинальном токе, что еще больше повышает общую эффективность системы, особенно при более высокиx частотаx переключения и в условияx низкой нагрузки для барьерного диода Шоттки с номинальным током 6 А.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Вес, г | 10 |
| Серия | thinQ Gen III |
| Package Type | PG-TO252 |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Diode Configuration | Single |
| Reverse Voltage (Vr) | 600V |
| Rectified Current (Io) | 6A |
| Average Forward Current | 6А |
| Forward Voltage (Vf@If) | 2.3V@6A |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@600V |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 600V |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 600В |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Линейка Продукции | CoolSic 3G thinQ |
| Maximum Continuous Forward Current | 6A |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Стиль Корпуса Диода | TO-252 |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 50 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 8нКл |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 2.3 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 600 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 6 |