IDD04SG60CXTMA2, Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ Gen III Series, Single, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001086342
- Артикул
- IDD04SG60CXTMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- Schottky Diode
- Brand:
- Infineon Technologies
Цена по запросу
(от 454 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IDD04SG60C, SP001633156
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | Schottky Diode |
| Brand: | Infineon Technologies |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | XDD04SG60 |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Tradename: | CoolSiC |
| Вес, г | 0.3 |
| Серия | thinQ Gen III |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-252 |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IDD04SG60C SP001633156 |
| Supplier Package | DPAK |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Емкость, пФ | 4.5 |
| If - Forward Current: | 4 A |
| Ir - Reverse Current: | 300 nA |
| Vf - Forward Voltage: | 2.1 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 600 V |
| Average Forward Current | 4А |
| Pd - Power Dissipation: | 43 W |
| Peak Forward Voltage (V) | 2.3 |
| Peak Reverse Current (uA) | 25 |
| Peak Forward Voltage - (V) | 2.3 |
| Peak Reverse Current - (uA) | 25 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 18 A |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Maximum DC Reverse Voltage (V) | 600 |
| Maximum Diode Capacitance (pF) | 80(Typ) |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 43000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 600В |
| Maximum Diode Capacitance - (pF) | 80(Typ) |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 43000 |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Линейка Продукции | thinQ 3G 600V |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 600 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage (V) | 600 |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Стиль Корпуса Диода | TO-252 |
| Peak Non-Repetitive Surge Current (A) | 18 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | 600 |
| Maximum Continuous Forward Current (A) | 4 |
| Peak Non-Repetitive Surge Current - (A) | 18 |
| Maximum Continuous Forward Current - (A) | 4 |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 25 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 4.5нКл |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 2.3 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 600 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 4 |