IDD03SG60CXTMA2, Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ, Single, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002072582
- Артикул
- IDD03SG60CXTMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- V(F)
- 2.3 V
- Speed
- No Recovery Time > 500mA(Io)
- I(FSM)
- 11.5 A
- Series
- IDD03SG60C
Цена по запросу
(от 311 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия Infineon IDD - это диоды Шоттки Infineon CoolSiC 600V G3, которые обладают самой низкой в отрасли емкостью для устройств с любым номинальным током, что еще больше повышает общую эффективность системы, особенно при более высокиx частотаx переключения и в условияx низкой нагрузки.
Технические параметры
| V(F) | 2.3 V |
| Speed | No Recovery Time > 500mA(Io) |
| I(FSM) | 11.5 A |
| Series | IDD03SG60C |
| V(RRM) | 600 V |
| Package | DPAK |
| Mounting | SMT |
| T(j) max | 175 °C |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Technology | SiC(Silicon Carbide)Schottky |
| Вес, г | 0.3 |
| Серия | thinQ! |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Package Type | PG-TO252-3 |
| Корпус | TO-252-3 |
| Configuration | SINGLE |
| I(F)per diode | 3 A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 1V, 1MHz |
| Diode Configuration | Single |
| Емкость, пФ | 60 |
| Average Forward Current | 3А |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 15 µA @ 600 V |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 600V |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 600В |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.3 V @ 3 A |
| Линейка Продукции | thinQ |
| Maximum Continuous Forward Current | 3A |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Стиль Корпуса Диода | TO-252 |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | -55…+175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 15 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 3.2нКл |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 2.3 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 600 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 3 |