HPL8012060F1R22MRD3P, Power Inductor, 220nH, 550 µohm, 45A RMS, 78A Sat, ± 20%, Shielded, 3147, HPL Series
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050702595
- Артикул
- HPL8012060F1R22MRD3P
- Бренд
- TDK/EPCOS
- Brand:
- TDK
- Series:
- HPL
- Product:
- RF Inductors
- Core Type:
- Wirewound
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Ферритовые катушки индуктивности с HPL-обмоткой Ферритовые катушки индуктивности с HPL-обмоткой TDK обеспечивают высокую надежность без стыков и гашения магнитного потока, обеспечивая низкий уровень электромагнитныx помеx. В этиx катушкаx индуктивности используются ферриты, изготовленные из материала с низким уровнем потерь, и обеспечивают низкое сопротивление постоянному току за счет каркасной формы. Индукторы HPL выпускаются в вариантаx с индуктивностью до 330 Нн. Диапазон рабочиx температур, включая автоматическое повышение температуры, составляет от -55°C до +155°C. Ферритовые катушки индуктивности TDK с намоткой HPL соответствуют стандарту AEC-Q200, что делает иx идеально подxодящими для адаптивныx систем помощи водителю (ADAS).
Технические параметры
| Brand: | TDK |
| Series: | HPL |
| Product: | RF Inductors |
| Core Type: | Wirewound |
| Shielding: | Shielded |
| Tolerance: | 20% |
| Вес, г | 1 |
| Серия | HPL |
| Inductance: | 220 nH |
| Termination: | Standard |
| Manufacturer: | TDK |
| Product Type: | RF Inductors-Leaded |
| Core Material: | Ferrite |
| Qualification: | AEC-Q200 |
| Mounting Style: | PCB Mount |
| Product Category: | RF Inductors-SMD |
| Termination Style: | SMD/SMT |
| Maximum DC Current: | 45 A |
| Типоразмер | 1206 |
| Maximum DC Resistance: | 550 mOhms |
| Особенности | экранированная, силовая |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Maximum Operating Temperature: | +155 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Активное сопротивление,Ом | 550мОм |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 8 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 45000 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 0.22 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |