Моя заявка (0)
HMC8410LP2FETR, 1.1dB 10MHz~10GHz 19.5dB LFCSP-6 RF AmplIfIers

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025234013
Артикул
HMC8410LP2FETR
Бренд
Analog Devices
Gain
19.5dB
P1dB
21dBm
Тип
MMIC Low Noise Amplifier
RF Type
Radar
Цена по запросу
(от 3 830 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

РЧ-усилитель Wideband LNAs-DC-8GHz P1dB20dBm-20dB Gai

Технические параметры

Gain19.5dB
P1dB21dBm
ТипMMIC Low Noise Amplifier
RF TypeRadar
Frequency10MHz ~ 10GHz
Вес, г2.582
СерияHMC8410
Noise Figure1.1dB
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case6-VDFN Exposed Pad, CSP
Current - Supply65mA
Voltage - Supply5V
Усиление19.5 dB
ТехнологияGaAs
Вид монтажаSMD/SMT
Supplier Device Package6-LFCSP(2x2)
Тип продуктаRF Amplifier
ПодкатегорияWireless RF Integrated Circuits
Торговая маркаAnalog Devices
Рабочая частота0.01 GHz to 10 GHz
P1dB - точка сжатия21 dBm
Категория продуктаРЧ-усилитель
Количество Выводов6вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Минимальная Частота10МГц
NF - коэффициент шумов1.1 dB
Максимальная Частота10ГГц
Pd - рассеивание мощности1.3 W
Размер фабричной упаковки500
Рабочее напряжение питания5 V
Чувствительный к влажностиYes
Входные потери на отражение6 dB
Рабочий ток источника питания65 mA
Минимальное Напряжение Питания2В
Максимальное Напряжение Питания6В
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 85 C
Типичное Значение Коэффициента Шума1.7дБ
Стиль Корпуса Радиочастотной МикросхемыLFCSP-EP
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 3-168 часов
OIP3 - перехват составляющих третьего порядка33 dBm

Техническая документация