Моя заявка (0)
HMC566LP4E, RF Amplifier LNA, 29-36GHz

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061964103
Артикул
HMC566LP4E
Бренд
Analog Devices
ECCN
3A001B2
Gain
21dB
P1dB
12dBm
Gain:
21 dB
Цена по запросу
(от 24 200 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

РЧ-усилитель LNA, 29-36GHz

Технические параметры

ECCN3A001B2
Gain21dB
P1dB12dBm
Gain:21 dB
HTSUS8542.33.0001
Type:Low Noise Amplifiers
Brand:Analog Devices
ТипRF Amplifier
PackageStrip
RF TypeGeneral Purpose
Frequency28GHz ~ 36GHz
Вес, г9.28
СерияHMC566G
RoHS StatusROHS3 Compliant
Technology:GaAs
Noise Figure3.3dB
REACH StatusREACH Unaffected
Subcategory:Wireless & RF Integrated Circuits
Manufacturer:Analog Devices Inc.
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:QFN-24
Product Type:RF Amplifier
Package / Case24-VFQFN Exposed Pad
Mounting Style:SMD/SMT
Test Frequency:28 GHz to 31.5 GHz
Current - Supply82mA
Frequency Range:38 GHz to 36 GHz
Voltage - Supply2.5V ~ 3.5V
УпаковкаCut Tape
Усиление21 dB
Product Category:RF Amplifier
Input Return Loss:18 dB
NF - Noise Figure:2.8 dB
Base Product NumberHMC566 ->
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
Operating Frequency:28 GHz to 36 GHz
ТехнологияGaAs
Вид монтажаSMD/SMT
Factory Pack Quantity:500
Pd - Power Dissipation:800 mW
Supplier Device Package24-VFQFN (4x4)
Тип продуктаRF Amplifier
ПодкатегорияWireless RF Integrated Circuits
Operating Supply Current:82 mA
Operating Supply Voltage:3 V
P1dB - Compression Point:12 dBm
Торговая маркаAnalog Devices / Hittite
Упаковка / блокQFN-24
OIP3 - Third Order Intercept:24 dBm
Рабочая частота36 GHz
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
P1dB - точка сжатия12 dBm
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)
Категория продуктаРЧ-усилитель
Количество каналов1 Channel
Частотный диапазон38 GHz to 36 GHz
NF - коэффициент шумов2.8 dB
Pd - рассеивание мощности0.8 W
Размер фабричной упаковки50
Рабочее напряжение питания3 V
Входные потери на отражение18 dB
Рабочий ток источника питания82 mA
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 85 C
OIP3 - перехват составляющих третьего порядка24 dBm

Техническая документация