Моя заявка (0)
HMC311LP3E, QFN-16-EP(3x3) RF Amplifiers ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017649509
Артикул
HMC311LP3E
Бренд
Analog Devices
Gain
14dB
P1dB
13dBm
Тип
Gain Block Amplifier
RF Type
General Purpose
Цена по запросу
(от 3 290 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

РЧ-усилитель InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 6 GHz

Технические параметры

Gain14dB
P1dB13dBm
ТипGain Block Amplifier
RF TypeGeneral Purpose
MilitaryNo
Frequency0Hz ~ 6GHz
PackagingTape and Reel
Pin Count16
AutomotiveNo
Вес, г1.6
СерияHMC311
Noise Figure4.5dB
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case16-VFQFN Exposed Pad
Current - Supply74mA
Supplier PackageQFN EP
Voltage - Supply5V
УпаковкаCut Tape
Усиление14.5 dB
ТехнологияGaAs InGaP
Standard Package NameQFN
Вид монтажаSMD/SMT
Supplier Device Package16-QFN(3x3)
Тип продуктаRF Amplifier
ПодкатегорияWireless RF Integrated Circuits
Typical Power Gain - (dB)14@6000MHz
Typical Noise Figure - (dB)4.5@6000MHz
Торговая маркаAnalog Devices / Hittite
Упаковка / блокQFN-16
Operating Temperature - (?C)-40~85
Maximum Supply Current - (mA)74@5V
Рабочая частота6 GHz
P1dB - точка сжатия15.5 dBm
Typical Output Power Range - (dBm)10 to 15
Категория продуктаРЧ-усилитель
Количество каналов1 Channel
Частотный диапазонDC to 6 GHz
Maximum Operating Supply Voltage - (V)7
NF - коэффициент шумов4.5 dB
Pd - рассеивание мощности0.339 W
Размер фабричной упаковки50
Рабочее напряжение питания5 V
Входные потери на отражение15 dB
Рабочий ток источника питания55 mA
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 85 C
OIP3 - перехват составляющих третьего порядка32 dBm

Техническая документация