H11G2M, Transistor Output Optocouplers HIGH VOLTAGE PHOTODARLINGTON
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004835043
- Артикул
- H11G2M
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- H11G2M
- Assembly
- THT
- Enclosure
- PDIP-6
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Оптопара транзисторная H11G2M от ONSEMI представляет собой высококачественный компонент с выходом в виде схемы Дарлингтона, обеспечивающий отличные характеристики при работе в различных областях применения. С выходным напряжением до 80В и напряжением изоляции 4.17 кВ, этот одноканальный компонент гарантирует надежную работу в сложных условиях. CTR@If составляет 100-200%@10mA, что позволяет достичь высокой эффективности. Корпус DIP6 и монтаж THT обеспечивают удобство в использовании и установке. Модель H11G2M станет незаменимой частью ваших проектов, обеспечивая стабильность и долговечность в работе. Характеристики Категория Оптопара Тип транзисторная CTR@If 100-200%@10mA Вид выхода схема Дарлингтона Кол-во каналов 1 Выходное напряжение макс., В 80 Напряжение изоляции, кВ 4.17 Монтаж THT Корпус DIP6
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | H11G2M |
| Assembly | THT |
| Enclosure | PDIP-6 |
| Fall time | 100 s |
| Rise time | 5 s |
| Packaging: | Bulk |
| Вес, г | 0.4 |
| Output Type: | Photodarlington |
| Subcategory: | Optocouplers |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | Transistor Output Optocouplers |
| Configuration: | 1 Channel |
| Output current | 60 mA |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | PDIP-6 |
| Isolation voltage | 7.5 kV |
| Product Category: | Transistor Output Optocouplers |
| Isolation Voltage: | 4170 Vrms |
| Number of channels | 1 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| If - Forward Current: | 60 mA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.5 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 6 V |
| Current Transfer Ratio: | 1000% |
| Pd - Power Dissipation: | 290 mW |
| max. operating temperature | 100 °C |
| min. operating temperature | -40 °C |
| Current Transfer Ratio - Min: | 1000% |
| Maximum Operating Temperature: | +100 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage: | 80 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage: | 80 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: | 1 V |