Моя заявка (0)

GP3D040A065U, SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3

GP3D040A065U, SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005429344
Артикул
GP3D040A065U
Бренд
SemiQ
Brand:
SemiQ
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Packaging:
Tube
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 2 510 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Дискретные диоды Шоттки SiC SemiQ обеспечивают практически нулевые потери при переключении и уменьшенное тепловыделение, что повышает эффективность и требует использования радиаторов меньшего размера. Дискретные диоды Шоттки SiC просты в подключении, благодаря быстрому переключению, не зависящему от температуры. Дискретные диоды Шоттки SemiQ SiC предназначены для солнечныx инверторов, источников питания, электроприводов и зарядныx станций.

Технические параметры

Brand:SemiQ
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Packaging:Tube
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусTO-247-3
Manufacturer:SemiQ
Package/Case:TO-247-3L
Product Type:Schottky Diodes & Rectifiers
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:Schottky Diodes & Rectifiers
If - Forward Current:20 A
Ir - Reverse Current:3 uA
Vf - Forward Voltage:1.52 V
Vr - Reverse Voltage:650 V
Factory Pack Quantity:30
Pd - Power Dissipation:176 W
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:135 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:650 V
Конфигурация диодаОдиночный
Рабочая температура, °C175
Обратный ток утечки, мкА3
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.52
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)40

Техническая документация