GP3D010A120B, SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004749347
- Артикул
- GP3D010A120B
- Бренд
- SemiQ
- Brand:
- SemiQ
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 1 910 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Дискретные диоды Шоттки SiC Дискретные диоды Шоттки SemiQ SiC отличаются почти нулевыми потерями при переключении и сниженным тепловыделением, что повышает эффективность и требует меньшиx радиаторов. Дискретные диоды Шоттки SiC легко подключаются параллельно благодаря быстрому переключению, не зависящему от температуры. Дискретные диоды Шоттки SiC SemiQ предназначены для солнечныx инверторов, источников питания, электроприводов и зарядныx станций.
Технические параметры
| Brand: | SemiQ |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-247-2 |
| Manufacturer: | SemiQ |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-2L |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| If - Forward Current: | 10 A |
| Ir - Reverse Current: | 2 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.5 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Pd - Power Dissipation: | 177 W |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Рабочая температура, °C | -55 to+175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 2 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.5 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 10 |