Моя заявка (0)

GP3D005A170B, SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2

GP3D005A170B, SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004663779
Артикул
GP3D005A170B
Бренд
SemiQ
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Brand:
SemiQ
Цена по запросу
(от 687,64 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Дискретные диоды Шоттки SiC Дискретные диоды Шоттки SemiQ SiC отличаются почти нулевыми потерями при переключении и сниженным тепловыделением, что повышает эффективность и требует меньшиx радиаторов. Дискретные диоды Шоттки SiC легко подключаются параллельно благодаря быстрому переключению, не зависящему от температуры. Дискретные диоды Шоттки SiC SemiQ предназначены для солнечныx инверторов, источников питания, электроприводов и зарядныx станций.

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.10.0080
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Brand:SemiQ
SeriesAmp+в„ў ->
PackageTube
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Diode TypeSilicon Carbide Schottky
Packaging:Tube
Вес, г1
RoHS StatusROHS3 Compliant
Technology:SiC
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусTO-247-2
Manufacturer:SemiQ
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:Schottky Diodes & Rectifiers
Configuration:Single
Package / CaseTO-247-2
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-2L
Product Category:Schottky Diodes & Rectifiers
Capacitance @ Vr, F347pF @ 1V, 1MHz
If - Forward Current:5 A
Ir - Reverse Current:1 uA
Vf - Forward Voltage:1.5 V
Vr - Reverse Voltage:1700 V
Pd - Power Dissipation:140 W
Supplier Device PackageTO-247-2
Reverse Recovery Time (trr)0ns
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr20ВµA @ 1.7kV
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1700V
Current - Average Rectified (Io)21A
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Operating Temperature - Junction-55В°C ~ 175В°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.65V @ 5A
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:1.7 kV
Конфигурация диодаОдиночный
Рабочая температура, °C175
Обратный ток утечки, мкА1
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.5
Максимальное обратное напряжение (В)1700
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)5

Техническая документация