GHXS100B120S-D3, Diode Modules SiC SBD 1200V 100A SiC Power Modules
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064057309
- Артикул
- GHXS100B120S-D3
- Бренд
- SemiQ
- Speed
- No Recovery Time > 500mA(Io)
- Technology
- SiC(Silicon Carbide)Schottky
- Вес, г
- 18
- Корпус
- SOT-227
Цена по запросу
(от 6 600 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диодная матрица из 2 независимыx диодов 1200 В 198 А (постоянного тока) для крепления на шасси SOT-227-4, миниБЛОК
Технические параметры
| Speed | No Recovery Time > 500mA(Io) |
| Technology | SiC(Silicon Carbide)Schottky |
| Вес, г | 18 |
| Корпус | SOT-227 |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Supplier Device Package | SOT-227 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 1200 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 100 A |
| Конфигурация диода | Независимые, 2-диода |
| Кол-во диодов в корпусе | 2 |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 198A(DC) |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А) | 100 |