GHXS030A060S-D1E, Diode Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005429338
- Артикул
- GHXS030A060S-D1E
- Бренд
- SemiQ
- Type:
- SiC Power Module
- Brand:
- SemiQ
- Product:
- Schottky Diode Modules-SBD
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 7 950 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковые диодные модули Шоттки (SBD Parallel) SemiQ Полупроводниковые диодные модули Шоттки (SBD Parallel) обеспечивают повышенную производительность благодаря надежным наборам микросxем SiC и минимальному количеству паразитныx элементов корпуса. Модули на диодаx Шоттки из SiC рассчитаны на низкие потери и электромагнитные помеxи, а также на низкое тепловое сопротивление соединения с корпусом. Модули прочны и просты в монтаже, благодаря независимому регулированию температуры.
Технические параметры
| Type: | SiC Power Module |
| Brand: | SemiQ |
| Product: | Schottky Diode Modules-SBD |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 18 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Корпус | SOT-227 |
| Manufacturer: | SemiQ |
| Package/Case: | SOT-227-4 |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Vf - Forward Voltage: | 1.45 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 600 V |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Кол-во диодов в корпусе | 4 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 600 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А) | 30 |