GH50H65DRB2-7AG IGBT, 108 A 650 V, 7-Pin H2PAK-7, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8054864850
- Артикул
- GH50H65DRB2-7AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand
- STMicroelectronics
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 0.14
- Package Type
- H2PAK-7
Цена по запросу
(от 575,80 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новейшая серия IGBT 650 HB2 от STMicroelectronics представляет собой эволюцию усовершенствованной запатентованной конструкции полевого затвора trench gate-stop. Характеристики серии HB2 оптимизированы с точки зрения проводимости, благодаря улучшенным xарактеристикам VCE (sat) при низкиx значенияx тока, а также с точки зрения снижения энергии переключения.
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 0.14 |
| Package Type | H2PAK-7 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Transistors | 1 |
| Maximum Power Dissipation | 385 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 108 A |