Моя заявка (0)

GF1J, 1V@1A 600V SMA(DO-214AC) DIodes - General Purpose

GF1J, 1V@1A 600V SMA(DO-214AC) DIodes - General Purpose

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8059285510
Артикул
GF1J
Бренд
ON Semiconductor***
Type:
Standard Recovery Rectifiers
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
GF1J
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 58,27 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ДИОД, ВЫПРЯМИТЕЛЬ, 1A, 600 В, SMA; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Max:600 В; Прямой ток If(AV):1A; Конфигурация диода: Одиночный; Прямое напряжение VF Max:1 В; Время восстановления в обратном направлении trr Max:2 Мкс; Прямой импульсный ток Ifsm M

Технические параметры

Type:Standard Recovery Rectifiers
Brand:onsemi/Fairchild
Series:GF1J
MountingSurface Mount
Product:Rectifiers
Rev Curr5(uA)
PackagingTape and Reel
Pin Count2
Вес, г0.11
Package TypeSMA
Rad HardenedNo
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусSMA/DO-214AC
ConfigurationSingle
Manufacturer:onsemi
Product Type:Rectifiers
Configuration:Single
Recovery Time:2 us
Rectifier TypeSwitching Diode
Rev Recov Time2000(ns)
Forward Current1000(mA)
Forward Voltage1(V)
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DO-214AC
Peak Rep Rev Volt600(V)
Product Category:Rectifiers
Max Surge Current:30 A
Termination Style:SMD/SMT
Operating Temp Range-65C to 175C
Peak Forward Voltage1(V)
Peak Reverse Current5(uA)
If - Forward Current:1 A
Ir - Reverse Current:5 uA
Vf - Forward Voltage:1 V
Vr - Reverse Voltage:600 V
Maximum Forward Current1000(mA)
Pd - Power Dissipation:1.8 W
Power Dissipation (Max)1800(mW)
Peak Reverse Recovery Time2000(ns)
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
Peak Non-Repetitive Surge Current30(A)
Конфигурация диодаОдиночный
Operating Temperature ClassificationMilitary
Кол-во диодов в корпусе1
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:7500
Максимальное постоянное обратное напряжение, В600
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А)1
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В)1

Техническая документация