Моя заявка (0)

GD50MPS12H, Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247

GD50MPS12H, Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8034509104
Артикул
GD50MPS12H
Бренд
GENESIC SEMICONDUCTOR
Type:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Brand:
GeneSiC Semiconductor
Series:
SiC Schottky MPS
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Цена по запросу
(от 2 770 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полупроводниковые диоды Шоттки MPS™ напряжением 1200 В Полупроводниковые диоды Шоттки MPS™ GeneSiC напряжением 1200 В обеспечивают высокую эффективность и надежность системы. Благодаря повышенной удельной мощности системы, SiC-диоды Шоттки MPS напряжением 1200 В обеспечивают чрезвычайно быстрое переключение и простую параллельную установку без перегрева.

Технические параметры

Type:Schottky Silicon Carbide Diodes
Brand:GeneSiC Semiconductor
Series:SiC Schottky MPS
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Packaging:Tube
Вес, г0.1
СерияSiC Schottky MPS
Technology:SiC
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусTO-247-2
Manufacturer:GeneSiC Semiconductor
Product Type:Schottky Diodes & Rectifiers
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-2
Product Category:Schottky Diodes & Rectifiers
If - Forward Current:50 A
Ir - Reverse Current:3 uA
Vf - Forward Voltage:1.5 V
Pd - Power Dissipation:519 W
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:500 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:1.2 kV
Конфигурация диодаОдиночный
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Обратный ток утечки, мкА3
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.5
Максимальное обратное напряжение (В)1200
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)50

Техническая документация