GD50MPS12H, TO-247-2 SIC DIodes ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019882504
- Артикул
- GD50MPS12H
- Бренд
- GENESIC SEMICONDUCTOR
- Type:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Brand:
- GeneSiC Semiconductor
- Series:
- SiC Schottky MPS
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
Цена по запросу
(от 2 420 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковые диоды Шоттки MPS™ напряжением 1200 В Полупроводниковые диоды Шоттки MPS™ GeneSiC напряжением 1200 В обеспечивают высокую эффективность и надежность системы. Благодаря повышенной удельной мощности системы, SiC-диоды Шоттки MPS напряжением 1200 В обеспечивают чрезвычайно быстрое переключение и простую параллельную установку без перегрева.
Технические параметры
| Type: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Brand: | GeneSiC Semiconductor |
| Series: | SiC Schottky MPS |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 9.6 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Manufacturer: | GeneSiC Semiconductor |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-2 |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| If - Forward Current: | 50 A |
| Ir - Reverse Current: | 3 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.5 V |
| Pd - Power Dissipation: | 519 W |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 500 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |